深圳谷易电子生产的DFN4pin电容老化测试座socket_概述_性能_特点_规格_应用

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主营产品：定制测试座、老化测试座、弹片微针模组、memory测试座、测试夹具、BGA老化测试、QFN老化测试、Flash闪存测试、编程烧录座

QFN/DFN封装系列

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DFN4pin电容老化测试座socket

DFN封装电容老化测试座规格参数：
封装类型：DFN
引脚：4pin
引脚间距：1.05mm
适用尺寸：0.65×0.45mm

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产品简介：

DFN封装电容老化测试座（Burn-in-socket）

老化测试温度：+85°

需要过瞬时大电流：3000mA，瞬时持续时间：0.005ms

无频率测试要求

测试座结构：翻盖式

测试座材料：合金