近年来，受益于航空航天、国防军工、5G通信、智能电网领域、新能源光伏、新能源汽车等领域的发展，碳化硅需求增速强劲，发挥重要作用，也有着不可替代的优势。

      随着新能源汽车市场的火爆销量大涨，原材料需求也是大爆发，其中碳化硅材料的需求也是逐步上升。在2020年全球碳化硅功率器件约占整个功率半导体器件市场份额的3-4%，市场规模约5-6亿美元，预计2022年，碳化硅功率器件的市场规模有望超过10亿美元。

      碳化硅是第三代半导体主要材料，它也是目前发展最成熟稳定的第三代半导体材料。随着生产成本的降低，SiC半导体正在逐步取代一、二代半导体。碳化硅最具前景的应用领域之一其中一定有第三代半导体。

      碳化硅（SiC）又可以称之为金刚砂，其密度是3.2g/cm 3，天然的碳化硅非常稀有，主要通过人工合成，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。按晶体结构的不同分类，碳化硅可分为βSiC和αSiC两种类型。

在电化学和热力学方面，碳化硅材料也有着优良的性能表现。

      电化学性能方面，碳化硅具有耐击穿、宽禁带的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其极强的耐腐蚀性，目前已知的所有腐蚀剂在常温下完全免疫。

      在热力学性能方面，碳化硅属于最硬的物质之一，硬度在20℃时可达到莫氏9.2-9.3，还可以用于切割红宝石；另外，碳化硅导热率超过金属铜，是GaAs的8-10倍、Si的3倍，其热稳定性非常高，在常压下不会被熔化；

碳化硅材料与传统硅基材料比，在多个方面具有明显优势：其散热特性好、临界击穿电场高、临界温度高。与氮化镓相比，碳化硅的热导率和成熟的技术更具有优势。碳化硅主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件，适用于1200V以上的高温大电力场景，碳化硅材料将在高温、高频领域逐步取代硅。

      碳化硅的半导体产业链其中包括碳化硅高纯粉料、外延片、单晶衬底、功率器件、模块封装和终端应用等环节。在碳化硅的模块封装过程中需要涉及的电、热和热机械问题，取决于器件的电流水平和电压等级，因此SiC功率器件的封装材料需要优良的导热性；很好的绝缘性；对封装材料的耐高温需求也很高，需要能在高温的环境中保持稳定。

      目前，批量生产的相关功率器件封装类型基本沿用了硅功率器件。碳化硅二极管的常用封装类型主要以TO系列为主 ,该封装易于组装和加工，简单的加工和封装技术非常容易出现过度的震荡力和夹力，尽管在这些情况下，也很少被破坏。

      碳化硅的散热方面高要求对于模块、电机控制器而言都是一种挑战。封装材质的耐高温直接影响到电源模块的功能和良率，因此，在碳化硅的封装应用中需要对其进行性能测试以保证产品的可靠性和良品率，由谷易电子生产的晶体管TO系列TO220(3)-2.54 Open-top下压测试座，很好的解决了耐高温这一难题，其耐高温最高可达175℃，单pin引脚使用多跟探针接触，能保证大功率大电流稳定传输。

此外谷易电子TO220还有以下三大优势：

1、接触采用锁螺丝结构，不需要焊接，便于更换维护，老化板可以重复利用；

2、晶体管老化测试座采用open-top结构，可以配合自动化，减少人工，降低成本，提高效率；

3、老化座外壳采用开模结构，成本低，交期快