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谷易电子功率半导体循环测试基本原理

发表时间:2022-10-09 14:58:46浏览量:697

功率循环的基本电路示意图和温度变化曲线(除特殊说明外,本文均为IGBT设备为例)。负载电流通过外部开关的控制对被测设备施加一定比例(ton/(ton+toff))的电流ILoad加热器达到指定的最大结温Tvjmax; 为及时散热...


功率循环的基本电路示意图和温度变化曲线(除特殊说明外,本文均为IGBT设备为例)。负载电流通过外部开关的控制对被测设备施加一定比例(ton/(ton+toff))的电流ILoad加热器达到指定的最大结温Tvjmax

为及时散热,降低结温,通常将被测装置安装在可恒温的水冷板上。切断负载电流后,设备的结温降至最低Tvjmin,通过这个周期来回达到评估装置包装可靠性的目的。因此,在一个循环中,(ton+toff),被测试装置的加热时间或电流开启时间为ton,电流关闭时间或冷却时间为toff。而测量电流ISense一般选择1/1000[10]装置额定电流,用于间接测量以实现设备温度的间接测量。


这里需要注意的是,测量电流的选择对温度测量有很大的影响,不能太大或太小,不能形成稳定的导流通道和电压[11]AQG324标准明确规定,在功率循环过程中,应实时监测被测装置的正向或饱和压降VCE,结温差ΔTvj(Tvjmax-Tvjmin)和热阻Rthj-xX代表参考点的温度。根据参考点的不同,热阻计算公式可分为结壳热阻Rthj-c,散热器热阻Rthj-s与环境热阻和结Rthj-a

器件的结温Tvj一般采用电法,如小电流下饱和压降法VCE(T)[10]参考点温度的间接获取Tx它是通过热电偶获得的,而功率P是通过大电流饱和压降获得的VCE和负载电流ILoad计算。因此,有三个参数可以准确测量:小电流下饱和压降VCE(T),大电流压降VCE热电偶的温度测量[12]

装置饱和压降VCE和热阻Rthj-x用于表示键合线和焊料的老化状态,进一步获得设备的寿命和故障模式。当饱和压降时,标准规定VCE105%或热阻达到初始值Rth120%的初始值被认为是设备故障


1200是两种不同的包装形式V,25A功率循环老化过程中的三个关键参数(VCERthj-xΔTvj)功率循环次数Nf的关系。测试条件均为开通时间ton=1s,降温时间toff=2s,栅极电压VGE=15V,结温差ΔTvj≈90K,最大结温Tvjmax≈150℃

需要注意的是,在功率循环老化的早期阶段,设备的关键参数相对稳定,呈现缓慢上升趋势。在指数呈上升趋势后的短时间内,这一过程通常是一个裂纹形成过程。随着功率循环次数的增加,装置的饱和压降和热阻在一定程度上增加,表明装置的键合线和焊料老化,结温逐渐升高,加速了老化过程。

但最终装置与散热器器热阻首先达到故障判断标准,为焊料老化故障。TO封装器件的结果表现为键合线(饱和压降升高,热阻几乎不变)。

根据功率器件的寿命模型,结温差ΔTvj它是影响设备寿命的最重要因素,其次是最大结温等绝对温度Tvjmax。此外,由于功率和热电偶的测量相对成熟,准确测量设备热阻的关键也取决于结温。可以看出,准确测量结温已成为功率循环测试中最关键的技术,但归根结底取决于电压的测量,这也是功率循环测试技术面临的最大挑战和困难之一。

基本理论分析了功率循环测试技术的挑战,包括功率循环测试技术、测试方法和数据处理。值得一提的是,直流功率循环定义在所有标准中(DirectCurrent,DC),也就是说,电流激励。所以,被测装置只有导通损耗,没有开关损耗,也没有阻断时的高压效应。


 

近年来,一些研究机构开始关注更接近工况的交流或交流PWM(PulseWidthModulation)功率循环,即在实际应用拓扑中放置被测装置,实现加速装置的老化过程,通过被测装置的电流PWM波。一方面,被测设备在主动关闭时承受电路的高压,另一方面,设备的部分损耗来自开关损耗,可以在一定程度上降低测试电流,减少键线的自热现象,从而降低键线的热应力。

PWM复杂的功率循环电路结构和控制使得结温的准确测量成为一个难点,同时,高频开关的干扰也会影响结温的测量精度。功率循环测试通过加速器件的老化过程来评估装的可靠性。因此,最需要注意的是设备的故障机制和使用寿命。

对现有公开发表的所有内容进行了全面的总结和分析DCPWM功率循环数据。结果表明,器件经过PWM功率循环老化并没有出现新的失效机理,仍然是DC功率循环最常见的键合线失效、焊料老化和表面金属化三种现象。

 

此外,在两个不同的电流激励条件下,同一批设备的功率循环寿命几乎相同。而DC各种研究机构和标准都广泛采用了电路结构简单、结温测量方便,仍将是未来的重点。因此,本文对功率循环测试的后续挑战和分析是基于DC展开功率循环。