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如何应对功率半导体IGBT芯片测试数据处理

发表时间:2022-10-12 16:02:08浏览量:808

威布尔分布是可靠性数据分析和数理统计中最有效的表现方法,对样品数量有一定的要求,样品数量太少,随机性太强,结果不可信。当然,样本越多,可靠性测试的时间和成本就会急剧增加,威布尔分布中测试结果的随机性和...

威布尔分布是可靠性数据分析和数理统计中最有效的表现方法,对样品数量有一定的要求,样品数量太少,随机性太强,结果不可信。当然,样本越多,可靠性测试的时间和成本就会急剧增加,威布尔分布中测试结果的随机性和样本数。同一批测试的6~12个样品数量是合适的

在实际测试中,不可能保证同一批测试的所有样品的测试条件完全相同,使测试数据具有一定的分散性。测量延迟还会导致实际测量的最大温度误差,使设备的实际寿命较低。在评估和比较可靠性寿命时,需要考虑延迟时间造成的误差,并通过寿命模型进行修正。

 

 

1200V,25ATO-247设备功率循环测试条件,同时选取6个设备进行测试。所有的测试条件都是ton=1s,toff=2s,VGE=15V,IL=42.5A,ΔTj90K,Tjmax150,tMD=100µs,通过有限元仿真修正测量延迟引起的结温测量误差约为32.6K。电源循环的原始寿命。所有设备都表现为键合线故障(饱和压降)VCE增加5%)由于测试电流,原始数据与标准寿命模型的差异较大,值较小。(@42.5A)电流越大,键合线自发热越严重,热应力越大,使用寿命越小。

 

为了反映寿命比较的公平性,通常选择设备的额定电流(@25A)修正后,修正后的寿命相对接近寿命模型。在谷易电子测试座socket的行业运用中,SOP测试座、BGA测试座,TO247测试座,老化测试座,模块测试座,器件测试座的反馈结构都比较理想,测试良率也比较高。