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谷易电子半导体芯片测试夹具与芯片老炼测试夹具的区别

发表时间:2025-06-18 10:42:51浏览量:155

应用场景与目的差异 半导体芯片测试夹具主要用于芯片生产过程中的各类常规测试环节,目的在于快速筛选出有功能性缺陷的芯片。在芯片制造完成封装后,利用测试夹具连接测试设备,对芯片的电气性能、逻辑功能等进行检测...

应用场景与目的差异

半导体芯片测试夹具主要用于芯片生产过程中的各类常规测试环节,目的在于快速筛选出有功能性缺陷的芯片。在芯片制造完成封装后,利用测试夹具连接测试设备,对芯片的电气性能、逻辑功能等进行检测,确保芯片符合基本的质量标准,例如检测芯片引脚的导通性、信号传输的准确性等,保障进入下一生产环节或市场的芯片无明显故障

 芯片老炼测试夹具则聚焦于芯片的可靠性评估。它模拟芯片在实际使用中可能面临的极端工作条件,如高温、高湿度、高电压等环境,通过长时间运行芯片,加速芯片内部潜在缺陷的暴露,提前剔除早期失效的芯片。以汽车电子芯片为例,老炼测试夹具会在高温(如125℃)且高负荷工作状态下对芯片进行长时间测试,确保芯片在汽车复杂且高温的引擎环境中能稳定可靠运行多年 。

结构设计与性能要求不同

电气连接特性 半导体芯片测试夹具的电气连接重点在于精准传递测试信号,对信号完整性要求高,以保证测试结果准确。其接触电阻通常要求较低,一般在毫欧级别,例如对于高频芯片测试夹具,为避免信号衰减和失真,接触电阻需控制在10mΩ以下,同时要具备良好的信号隔离能力,减少串扰。

芯片老炼测试夹具除了满足基本电气连接,还需考虑在极端环境下的电气稳定性。在高温、高湿度等恶劣条件下,夹具的金属触点不能出现氧化、腐蚀导致的接触不良,因此常采用特殊的抗氧化、耐腐蚀金属材料,如镀金触点,并且对连接结构的稳固性要求更高,确保长时间复杂环境下电气连接持续可靠

机械结构设计 测试夹具机械结构强调对芯片的精准定位与快速装夹。针对不同封装形式的芯片,如BGA(球栅阵列)、QFN(方形扁平无引脚封装)等,设计有与之适配的精密卡槽或夹持机构,能在几秒内完成芯片装夹,并且保证芯片在测试过程中位置固定不偏移,以实现稳定的电气连接和测试重复性 。

老炼测试夹具的机械结构需兼顾散热与环境适应性。由于老炼测试常伴随高温环境,夹具通常配备高效散热结构,如大面积的散热鳍片或液冷通道,帮助芯片散发长时间高负荷运行产生的热量,防止芯片过热损坏。同时,在高温、高湿度等环境下,夹具结构材料要具备良好的耐温、耐湿性能,避免因环境因素导致结构变形影响芯片测试

环境适应性 半导体芯片测试夹具一般在常温常压的实验室或生产车间环境下工作,对环境适应性要求相对单一。部分高精度测试可能对环境温湿度有一定范围控制,如温度25℃±2℃,相对湿度40% - 60%,但整体环境条件远不及老炼测试苛刻 。

芯片老炼测试夹具需模拟多种极端环境。高温工作寿命测试(HTOL)时,温度可达125℃甚至150℃;高压加速寿命测试(HAST)中,需在高温高湿(如130℃、85%RH)且高电压条件下运行;温度循环测试(TCT)则要求在极低温(如 - 65℃)到高温(150℃)间快速切换,夹具要在这些复杂多变的环境中保证自身性能稳定以及对芯片的可靠测试 。 ## 测试流程与使用方式不同

测试时间

使用半导体芯片测试夹具进行的测试通常较为快速,每个芯片的测试周期可能仅需几分钟甚至几十秒,适合对大量芯片进行快速筛选,以满足生产线的高效需求,如消费电子芯片大规模生产时,通过测试夹具能在短时间内完成百万颗芯片的初步检测 芯片老炼测试则是一个长时间的过程。高温工作寿命测试往往需要持续1000小时以上,高压加速寿命测试也需96小时左右,测试周期长达数天甚至数月,旨在通过长时间运行让芯片内部潜在问题充分暴露 。

测试参数设置 测试夹具在测试时,依据芯片设计规格设置常规电气参数,如工作电压、电流范围、信号频率等,以检测芯片是否符合设计的基本功能要求。例如,一款手机处理器芯片测试时,按照其设计的1.2V工作电压、特定的时钟频率等参数进行测试 。

老炼测试夹具的参数设置更具挑战性,除了基本电气参数,还需设置各类应力参数。在高温反向偏压测试(HTRB)中,不仅要设置高温(125℃)环境参数,还要精确施加反向偏压,模拟芯片在实际应用中可能遇到的异常电压情况,对测试设备的参数控制精度和稳定性要求极高 。

数据监测与分析 使用半导体芯片测试夹具测试时,主要监测芯片的功能是否正常,如逻辑输出是否正确、引脚电平是否符合标准等,数据监测相对简单直接,测试结果主要用于判断芯片是否通过测试,进入下一步生产流程


老炼测试夹具在测试过程中,需要实时、高精度地监测芯片的多种参数变化,包括电流、电压、温度等。通过分析这些参数随时间的变化曲线,能够深入评估芯片的可靠性,预测芯片的使用寿命。例如,通过监测芯片在高温工作寿命测试中电流的微小波动,判断芯片内部是否出现早期的性能退化迹象