LPDDR关键信号该如何分析和接线有哪些要求呢？

DDR建立内存的初衷是加快内存的传输速度，以弥补内存带宽的不足。关键技术是双数据速率和预存取。在一个时钟周期中，DDR可以完成SDR只能在两个周期内完成的任务理论上是同速的DDR内存与SDR性能是内存的两倍以上

LPDDR拥有比同代DDR这种芯片主要用于移动电子产品等低功耗设备。

那么LPDDR关键信号该如何分析和接线有哪些要求呢？

单端信号要求走50Ω±10%，其中DQ/DM未单端信号，DQS为差分信号，

DQS差分信号：走线宽度及差分线间距又PCB的叠层阻抗所决定

DQ数据线：DQ线宽由PCB层叠阻抗决定，组内行走间距需要2。W原则(两条线路中心点之间的距离是线路宽度的两倍)

DQS和DQ走线间距以及不同数据组之间的间距：走线需要大于2W

DQS差异之间的最大延迟：1PS（1ps的延迟在PCB上大概对应6mil，因此，差异之间的等长控制要求为5mil不会出错)

DQS和DQ的最大延迟：5PS（1ps的延迟在PCB上大概对应6mil，要求差分对之间的等长控制在30Mil以内）

因为CLK与DQS最大延迟可以接受为150ps，也就是说，每个数据组只需要7500mil内等长，但一般控制在120mil以内

数据信号组为8位为一个字节即为一组，但还需要包括DQS和DQM（DQ0-7，DQM，DQS）

第二组信号为DQ8-DQ15，DQM，DQS

时钟走线

差分阻抗为100Ω±10%，线宽与差分线之间的距离由PCB由叠层决定

由于时钟信号线不高频，上升边缘很陡，很容易干扰他人，所以我们需要做3W原则是与其他信号接线的净宽至少为3倍

差分对最大的延迟为：1PS即6mil，通常按5mil等长设计

时钟CLK与DQS之间允许的最大延迟为：150PS

控制组

CSN：片选信号，当CS#为高时，所有信号无效，为输入信号，CS的参考电压为VREFFCA

CKE：时钟使能，高使能，低禁止，为输入信号，CKE的参考电压为VREFFCA

控组信号走线阻抗控制为50Ω±10%，走线的宽度由PCB的叠层决定，控制信号需要控制3W原则

控制信号与时钟之间的最大延迟为：5PS即30MIL

地址组

地址信号我们需要控制阻抗：50Ω±10%，线路宽度PCB叠层是由阻抗需求决定的，需要控制线之间的宽度3W原则

与SLK最大的延迟为：5ps，即30MIl

在反射率测试系统中，激光粒度计的遮光比不应过大（超过50）或过小（低于）。当遮光比过大时，颗粒浓度过高，容易发生二次散射，测量结果误差增加。遮光比过低，样品中颗粒浓度过低，颗粒数量过少，试验结果的代表性很差，可能导致试验结果无效。因此，在测试过程中，应通过重复实验选择遮光比，以获得正确的测量结果。

关于DDR测试，在谷易电子DDR测试夹具行业应用中，整理几款对应的测试设备（仅供参考）

1、苹果DDR178球一拖一测试架

2、正点原子DDR96球夹球测试治具

3、定制DDR3-96ball翻盖探针测试治具

4、DDR96球测试架

5、LPDDR178BALL测试夹具_测试架

6、定制LPDDR4X测试座 合金翻盖探针座 IC测试座 ICsocket编程座

7、LPDDR4X-BGA200-14.5×10测试座