CP测试（Chip Probing，晶圆测试）与FT测试（Final Test，成品测试）作为半导体制造流程中的核心环节，直接影响芯片的良率与可靠性。本文将从CP/FT的定义、测试项、方法及参数标准展开分析，并结合谷易电子的测试座、老化座等案例探讨其技术实现。

一、CP测试与FT测试的定义与核心目标

1. CP测试

   CP测试在晶圆制造完成后、封装前进行，通过探针接触晶圆上的裸片（Die）进行电气性能检测，目标是筛选出不良品以节省后续封装成本。例如，SiC晶圆因工艺复杂性高，CP测试可提前剔除击穿电压（BVdss）不达标的裸片，避免封装资源浪费。  

   技术挑战：探针卡设计需适配高功率SiC芯片的大电流需求（如导通电阻Rdson测试），且需避免多Die并行测试时的信号干扰。

2. FT测试  

   FT测试在封装完成后进行，验证芯片在真实环境下的功能与可靠性。例如，GaN功率模块需在高温（160℃以上）下进行三温测试（常温、低温、高温），确保其高频开关性能稳定。  

   技术难点：封装引入的寄生电感可能影响高频参数（如开关时间Ton/Toff），需通过低电感测试插座（Socket）提升测试精度。

二、CP与FT的测试项与方法对比

| 测试类别 | CP测试核心项                 | FT测试核心项                  | 测试方法                                                                |

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| 电气参数 | 阈值电压（Vt）、导通电阻（Rdson）、漏电流（Igss） | 电源电流（Idd）、待机功耗、击穿电压（VBR） | CP：探针台+高精度SMU（源测量单元）<br>FT：测试机（Tester）+负载板（Loadboard） |

| 功能验证*| SCAN测试（逻辑功能）、Boundary SCAN（管脚连通性） | 功能测试（逻辑运算）、高速接口验证（如PCIe/DDR） | CP：基于BIST（内建自测）的存储器测试<br>FT：动态信号完整性测试（如眼图分析） |

| 环境测试| 无（受限于探针电流与温度范围）     | 温度循环（-55℃~250℃）、高温老化（HTOL） | FT：高低温测试箱+自动化Handler（分选机）            |

| 特殊测试 | RF模块基础功能验证     | RF性能深度测试（如谐波失真、噪声系数） | CP：射频探针卡+矢量网络分析仪<br>FT：射频测试座+信号发生器/分析仪 |

三、测试参数标准与关键技术要求

1. CP测试参数标准  

   导通电阻（Rdson）：SiC MOSFET需控制在mΩ级，测试时需采用脉冲法避免自热效应。  

   击穿电压（BVdss）：对SiC器件要求≥1200V，测试电压需覆盖额定值的1.2倍。  

   漏电流（Igss）：GaN HEMT需低于1μA，测试环境需严格屏蔽电磁干扰。

2. FT测试参数标准

   高温开关损耗：GaN模块在150℃下开关损耗需比常温增加≤10%。  

   三温测试一致性：SiC模块在-40℃/25℃/175℃下的导通电阻偏差需＜5%。  

   封装可靠性：通过HAST（高加速温湿度测试）验证封装抗湿气渗透能力，湿度要求85%RH@130℃。

四、谷易电子IC/芯片测试座解决方案案例

谷易电子针对SiC/GaN的高压、高频特性，开发了适配CP/FT测试的全套硬件方案：  

1. 高精度CP探针卡  

   采用钨铜合金探针，支持500A大电流测试，接触电阻＜5mΩ，适用于SiC MOSFET的Rdson批量检测[citation:用户历史案例]。  

   配备主动冷却系统，避免高功率测试时探针温升导致的参数漂移。

2. 耐高温FT测试座  

   支持双通道测试（如同时验证SiC模块的开关特性与热阻），接触寿命＞50万次[citation:用户历史案例]。  

   采用低介电常数材料（如LCP），寄生电感＜1nH，满足GaN器件10MHz以上开关频率的测试需求。

3. IC老化座与烧录座集成方案  

   IC老化座支持多芯片并行老化（如48颗GaN芯片同时测试），温度均匀性±1℃[citation:用户历史案例]。  

   IC烧录座集成JTAG边界扫描功能，可在FT阶段直接修复存储器缺陷，提升良率5%以上。

五、未来趋势：智能化与国产化

1. AI驱动的测试优化

   通过机器学习分析CP/FT测试数据，预测晶圆制造缺陷（如边缘区域裸片的高失效率），动态调整测试策略。

2. 国产设备替代

   谷易电子等厂商正推动晶圆测试探针卡、IC/芯片测试座scket的国产化，成本较进口产品降低30%，市场份额逐步提升，

CP与FT测试是第三代半导体量产化的关键保障，两者的协同优化可显著提升SiC/GaN芯片的良率与可靠性。谷易电子通过定制化IC/芯片测试座与智能化方案，为行业提供了高性价比的国产替代选择，助力中国半导体产业突破技术壁垒。未来，随着8英寸SiC晶圆的普及与测试设备智能化，第三代半导体的应用边界将进一步扩展。