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芯片老化测试:芯片封装可靠性测试与谷易芯片老化座的关键应用

发表时间:2025-07-28 11:02:17浏览量:268

一、芯片封装可靠性测试的核心定义与战略价值 芯片封装可靠性测试是通过模拟极端环境应力(如高温、高湿、机械振动)和长期电应力,验证封装体在10-15年生命周期内的稳定性,确保芯片在汽车、工业控制等关键领域的安...

一、芯片封装可靠性测试的核心定义与战略价值

芯片封装可靠性测试是通过模拟极端环境应力(如高温、高湿、机械振动)和长期电应力,验证封装体在10-15年生命周期内的稳定性,确保芯片在汽车、工业控制等关键领域的安全运行。

其核心目标包括:

失效机制揭示:通过加速测试暴露电迁移、热膨胀失配、离子迁移等潜在缺陷

寿命预测:基于阿伦尼乌斯模型将10年实际寿命压缩至1000小时验证

工艺优化:指导封装材料选型(如低CTE环氧模塑料)和结构设计(如应力缓冲层)

标准合规:满足AEC-Q100、JEDEC、MIL-STD等严苛认证要求

二、芯片可靠性测试方法体系与技术突破

(一)环境应力测试

1. 温度相关测试

温度循环测试(TCT)

模拟-65℃~150℃极端温差,通过1000次循环验证封装体抗热疲劳能力。谷易采用殷钢-碳纤维复合基板,在-55℃~155℃范围内保持±5μm对位精度,确保BGA焊球接触稳定性。

热冲击测试(TST)

采用液冷/液氮快速温变(速率60℃/min),重点验证晶圆级封装的TSV互连可靠性。谷易三维探针阵列技术可实现TSV垂直互连检测,攻克3D IC堆叠测试难题。

2. 湿度与腐蚀测试

高加速应力测试(HAST)

130℃/85%RH+偏压条件下加速验证封装防潮能力。谷易老化测试座采用多层屏蔽腔体,将辐射发射抑制至30dBμV/m以下,满足GJB151B军标要求,同时集成热电偶实时监测结温漂移。

蒸汽压力锅测试(PCT)

121℃/100%RH高压环境下测试封装体气密性,谷易电子可靠性老化测试方案通过镀金铍铜探针(插拔寿命10万次)和冗余探针阵列设计,确保测试过程中接触电阻<10mΩ。

3. 机械应力测试

振动与冲击测试

模拟车载环境的20Grms随机振动,谷易可靠性芯片老化测试座支持多轴振动耦合测试,通过智能算法动态补偿探针压力,延长设备寿命30%。

跌落测试

评估封装体抗物理冲击能力,谷易针对消费电子芯片开发的模块化老炼测试夹具,支持快速切换测试规格(10分钟内完成封装适配)。

(二)电气应力测试

1. 高温工作寿命测试(HTOL)

125℃~150℃高温下加载1.1~1.3倍额定电压,持续1000小时以上验证电迁移效应。谷易可靠性测试方案通过AI驱动的预测性维护系统,动态调整探针压力补偿磨损,同时实现引脚级故障定位。

2. 高温反向偏压测试(HTRB)

125℃高温下施加反向偏压(如100V),验证功率器件漏电流稳定性。谷易开发的可靠性大电流老炼夹具支持单Pin 3A测试,接触电阻低至10mΩ,适用于SiC MOSFET等高压器件。

(三)综合环境测试

Precon预处理

模拟运输存储中的温湿度变化(如-40℃/90%RH→85℃/85%RH),作为其他测试的前置条件,确保测试结果贴近实际应用场景。

HALT/HASS测试

HALT(高加速寿命测试):在研发阶段通过阶梯式应力(-100℃~200℃温度+60Grms振动)快速定位设计缺陷。

HASS(高加速应力筛选):量产阶段采用100%抽样测试,通过AI算法优化测试参数,将潜在缺陷检出率提升至99.99%。

三、国际标准体系与行业规范

1. 汽车电子IC标准(AEC-Q100)

针对Grade 0芯片要求-40℃~150℃温度循环1000次、150℃高温存储1000小时,且HAST测试需进行2次应力叠加(130℃/85%RH/96h)以考核铜线键合可靠性。

2. 通用半导体标准(JEDEC)

JESD22-A108定义HTOL测试规范,JESD22-A110规定TCT测试条件。谷易电子老化座完全兼容JEDEC标准,支持112G PAM4高速信号传输,眼图余量≥0.3UI。

3. 军品标准(MIL-STD-883)

要求-55℃~125℃温度循环(500次)和1000g机械冲击测试,谷易电子开发的抗辐照探针阵列可满足航天级可靠性需求。

四、谷易可靠性芯片老化测试座的技术突破与应用案例

1. 全场景封装兼容方案

支持BGA(0.35mm间距)、QFN、LGA等主流封装,接触阻抗≤15mΩ,插拔寿命≥10万次。在某车载MCU厂商BGA257封装测试中,单日完成20万颗测试,不良品率<10ppm。

2. 智能化测试系统

集成AI算法实时诊断接触失效(准确率>99.5%),动态功耗监测优化测试参数。在数据中心GPU老化测试中,72小时等效验证10年寿命,参数漂移控制在±1%以内。

3. 极端环境适应性设计

采用双相浸没式液冷技术,支持-65℃~200℃宽温域测试,温度均匀度≤±2℃。某工业控制芯片在-40℃~125℃循环测试中,通过谷易可靠性测试方案验证金属界面疲劳寿命,良率提升至99.8%。

4. 高频与大电流测试

同轴探针设计将寄生电感降至0.1nH以下,支持40GHz信号传输;大电流夹具单Pin最高4A,适用于SiC功率器件Rdson批量检测。

五、行业趋势与技术展望

1. 智能化测试演进

AI驱动的预测性维护系统可动态优化测试参数,故障定位精度达引脚级,测试效率提升50%。

2. 三维集成测试突破

3D IC堆叠要求垂直探针阵列与TSV检测技术,谷易电子已实现TSV互连电阻测试精度±5%。

3. 绿色节能技术

低功耗探针设计(能效比提升30%)和液冷散热方案(散热功率>3kW/cm²),适配碳中和目标。

谷易通过材料和技术创新(如殷钢-碳纤维基板)和智能化赋能,构建了从晶圆到封装的完整测试生态,推动国产可靠性老化测试成本降至进口产品的1/3,交货周期缩短至2周。未来需进一步突破AI驱动的缺陷预测、多应力耦合测试等核心技术,助力中国半导体产业实现自主可控。